RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Сравнить
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB против G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
12.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.2
16.2
Скорость записи, Гб/сек
7.8
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1763
2902
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link