RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB против Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
38
Около 5% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.9
14.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.5
8.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
38
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
14.1
Скорость записи, Гб/сек
9.5
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2292
2483
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link