Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB против G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Причины выбрать
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

24 36

Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения

19 14.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.4 9.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

36 24
Скорость чтения, Гб/сек

14.9 19.0
Скорость записи, Гб/сек

9.5 14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2292 3482

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB

SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905734-018.A00G 16GB

Kingston 9905734-018.A00G 16GB

модули RAM

Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB

Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB

Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB

Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB

модули RAM

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB

G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB

модули RAM

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB

модули RAM

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB

Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A

G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB

G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB

модули RAM

Mushkin 991988 (996988) 4GB

Mushkin 991988 (996988) 4GB

Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB

модули RAM