RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
36
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
24
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
3482
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
INTENSO 5641152 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link