RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.9
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.5
7.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
36
Около -3% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
35
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
9.8
Скорость записи, Гб/сек
9.5
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2292
2126
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link