RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
es
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Puntuación global
star star star star star
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Puntuación global
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    14.9 left arrow 9.8
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.5 left arrow 7.9
    Valor medio en las pruebas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Informar de un error
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    35 left arrow 36
    En -3% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 12800
    En 1.33 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    36 left arrow 35
  • Velocidad de lectura, GB/s
    14.9 left arrow 9.8
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.5 left arrow 7.9
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2292 left arrow 2126

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Comparaciones de la memoria RAM

Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Comparaciones de la memoria RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones

Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C
Memoria RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Memoria RAM
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Memoria RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Memoria RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Memoria RAM
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Memoria RAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Memoria RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Memoria RAM
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Memoria RAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Memoria RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Memoria RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Memoria RAM
SK Hynix HMT31GR7EFR4C-H9 8GB
SK Hynix HMT31GR7EFR4C-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C
Memoria RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Memoria RAM