RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.9
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.5
6.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
36
Около -57% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
23
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
13.6
Скорость записи, Гб/сек
9.5
6.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2292
2339
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston 9905471-054.A00LF 8GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-036.A00LF 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link