RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Сравнить
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB против Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
36
Около -24% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.4
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
29
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
15.4
Скорость записи, Гб/сек
9.5
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2292
2854
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link