RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
38
Около 13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
14.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.2
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
38
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
14.6
Скорость записи, Гб/сек
12.0
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
2915
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Kingmax Semiconductor KSDD48F-B8KW5 1GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link