RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
38
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
14.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
38
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
2915
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 99U5474-025.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link