RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
38
Autour de 13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
14.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
38
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
2915
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link