RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Compara
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
38
En 13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
14.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
38
Velocidad de lectura, GB/s
17.6
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2910
2915
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link