Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB против Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB

Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    35 left arrow 36
    Около -3% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    17.6 left arrow 14.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.1 left arrow 9.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    25600 left arrow 12800
    Около 2 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    36 left arrow 35
  • Скорость чтения, Гб/сек
    14.9 left arrow 17.6
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.5 left arrow 12.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 25600
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2292 left arrow 3221
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения