Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB

Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    35 left arrow 36
    Wokół strony -3% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    17.6 left arrow 14.9
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    12.1 left arrow 9.5
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    25600 left arrow 12800
    Wokół strony 2 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    36 left arrow 35
  • Prędkość odczytu, GB/s
    14.9 left arrow 17.6
  • Prędkość zapisu, GB/s
    9.5 left arrow 12.1
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2292 left arrow 3221
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania