Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB против Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB

Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB

Средняя оценка

Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB

Причины выбрать
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 19.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,077.3 15.6

Среднее значение в тестах

Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

31 61

Около -97% меньшая задержка
Выше пропускная способность

21300 6400

Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB

Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

61 31
Скорость чтения, Гб/сек

3,835.2 19.1
Скорость записи, Гб/сек

2,077.3 15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 21300

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

606 3553

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB

Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB

модули RAM

Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB

Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB

G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-437.A01LF 4GB

Kingston 9905403-437.A01LF 4GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB

модули RAM

Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB

Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB

Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB

Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB

Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB

Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB

модули RAM

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB

Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB

модули RAM

SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB

SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N

модули RAM

Kingston 99P5474-034.A00LF 2GB

Kingston 99P5474-034.A00LF 2GB

Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Kingston 9965662-015.A00G 16GB

Kingston 9965662-015.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB

Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB

Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB

Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB

SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB

модули RAM

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB

Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB

модули RAM

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N

модули RAM