RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Сравнить
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
40
Около 33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.2
9.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.8
6.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
40
Скорость чтения, Гб/сек
12.2
9.1
Скорость записи, Гб/сек
7.8
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, TBD1 V tolerant, TBD2 V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1763
2031
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link