RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB против G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,077.3
13.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
61
Около -126% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
61
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,835.2
18.5
Скорость записи, Гб/сек
2,077.3
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
606
3061
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link