RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Confronto
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
18.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,077.3
13.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
61
Intorno -126% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
61
27
Velocità di lettura, GB/s
3,835.2
18.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,077.3
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
606
3061
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link