RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
54
69
Около 22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
12.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
6.3
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
69
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
12.6
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
1602
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kllisre D4 8G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link