RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
54
Около -184% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.0
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
19
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
19.9
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
3359
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link