RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
65
Около 42% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.0
8.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.5
15.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
65
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
17.5
Скорость записи, Гб/сек
12.0
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
1921
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
AMD R934G2401U1S 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Mushkin 991586 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link