RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
65
Wokół strony 42% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
15.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
65
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
1921
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link