RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
65
Autour de 42% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
8.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
65
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
8.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
1921
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link