RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
20.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
54
Около -108% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.2
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
26
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
20.2
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
3876
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link