RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
54
70
Около 23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
15.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.4
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
70
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
15.8
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
1946
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KF552C40-16 16GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link