RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
54
Около -116% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.9
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
25
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
14.6
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
2427
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB Сравнения RAM
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link