RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
54
Около -93% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.4
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
13.8
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
2354
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
AMD R748G2133U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link