RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,168.2
10.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
60
Около -140% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
25
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
14.3
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
2583
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston KHX2800C12D3/4GX 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link