RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
54
Около -80% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
14.5
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
2374
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link