RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против Kingston KYXC0V-MIH 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
54
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.1
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
34
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
14.0
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
2365
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link