RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
54
Около -125% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.9
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
24
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
14.3
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
2191
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 160C0 V3 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link