RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
54
Wokół strony -125% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.9
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
2191
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology HMP351S6AFR8C-S6 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSP38G16002 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSO8GX3M2C1600C11 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link