RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
12.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
54
Около -108% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.2
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
26
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
12.6
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
6.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
1970
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link