RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
54
Около -74% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.7
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
17.9
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
3444
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Inmos + 256MB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
UMAX Technology 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link