Nanya Technology NT1GT72U8PA0BY-37B 1GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology NT1GT72U8PA0BY-37B 1GB

Nanya Technology NT1GT72U8PA0BY-37B 1GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology NT1GT72U8PA0BY-37B 1GB

Причины выбрать
Nanya Technology NT1GT72U8PA0BY-37B 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 17.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,123.2 12.6

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 42

Около -50% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 4200

Около 4.05 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology NT1GT72U8PA0BY-37B 1GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

42 28
Скорость чтения, Гб/сек

4,480.6 17.4
Скорость записи, Гб/сек

2,123.2 12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

4200 17000

Other

Описание

PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

4-4-4-12 / 533 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

688 3085

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N

модули RAM

Kingston HP669238-071-HYC 4GB

Kingston HP669238-071-HYC 4GB

Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB

A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB

модули RAM

Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB

Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB

Kingston KVR24N17S8/4 4GB

Kingston KVR24N17S8/4 4GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB

модули RAM

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB

A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Kingston KY7N41-MID 8GB

Kingston KY7N41-MID 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB

Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB

модули RAM

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

AMD R744G2400U1S 4GB

AMD R744G2400U1S 4GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB

G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB

модули RAM