RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB против Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
72
Около -157% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.7
1,938.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
72
28
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
18.5
Скорость записи, Гб/сек
1,938.7
15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
677
3601
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Сравнения RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link