RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Сравнить
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
38
Около -58% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
7.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
3.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
24
Скорость чтения, Гб/сек
7.2
17.0
Скорость записи, Гб/сек
3.0
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
915
2703
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link