Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB

Note globale
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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

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Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    24 left arrow 38
    Autour de -58% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    17 left arrow 7.2
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    13.5 left arrow 3.0
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    17000 left arrow 12800
    Autour de 1.33 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    38 left arrow 24
  • Vitesse de lecture, GB/s
    7.2 left arrow 17.0
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    3.0 left arrow 13.5
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Description
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
  • Timings / Vitesse d'horloge
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    915 left arrow 2703
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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