RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
72
Около -157% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.6
1,938.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
72
28
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
18.2
Скорость записи, Гб/сек
1,938.7
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
677
3546
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Сравнения RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link