RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Comparar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
72
Por volta de -157% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.6
1,938.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
72
28
Velocidade de leitura, GB/s
4,241.0
18.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,938.7
14.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
677
3546
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Comparações de RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link