RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB против G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
72
Около -167% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.9
1,938.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
72
27
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
18.0
Скорость записи, Гб/сек
1,938.7
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
677
3429
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Сравнения RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Samsung M393B1G73QH0-CMA 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link