Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB против Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Средняя оценка

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 17.5

Среднее значение в тестах

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

48 72

Около -50% меньшая задержка
Выше скорость записи

8.3 1,938.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 6400

Около 4 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

72 48
Скорость чтения, Гб/сек

4,241.0 17.5
Скорость записи, Гб/сек

1,938.7 8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 25600

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

677 2196

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB

Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB

Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB

модули RAM

Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB

Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB

Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB

Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB

Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB

модули RAM

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB

ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB

модули RAM

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Good Wealth Technology Ltd. 8GB

Good Wealth Technology Ltd. 8GB

модули RAM

TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB

SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19C 4GB

A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19C 4GB

модули RAM

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB

A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB

модули RAM