Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB против Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Средняя оценка

Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 20.1

Среднее значение в тестах

Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB

Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

30 72

Около -140% меньшая задержка
Выше скорость записи

16.3 1,938.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 6400

Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

72 30
Скорость чтения, Гб/сек

4,241.0 20.1
Скорость записи, Гб/сек

1,938.7 16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 21300

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

677 3796

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Kingston 9905678-139.A00G 8GB

Kingston 9905678-139.A00G 8GB

модули RAM

PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB

PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB

A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB

Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB

Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB

модули RAM

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB

модули RAM

Kingston KP223C-ELD 2GB

Kingston KP223C-ELD 2GB

Kingston KHX2133C14/8G 8GB

Kingston KHX2133C14/8G 8GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB

модули RAM