RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB против Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Средняя оценка
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
72
Около -112% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.2
1,938.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
72
34
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
15.9
Скорость записи, Гб/сек
1,938.7
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
677
2927
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Сравнения RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link