G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB против Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Средняя оценка

Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 30

Около 13% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.8 16

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

15.7 12.3

Среднее значение в тестах

Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Причины выбрать
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

23400 19200

Около 1.22 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR5 DDR4
Задержка в PassMark, нс

26 30
Скорость чтения, Гб/сек

17.8 16.0
Скорость записи, Гб/сек

15.7 12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

19200 23400

Other

Описание

PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42 PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота

no data / 2400 MHz 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

3867 2709

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB

Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 9965643-006.A01G 8GB

Kingston 9965643-006.A01G 8GB

модули RAM

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB

модули RAM

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB

Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

JUHOR JHD3000U1908JG 8GB

JUHOR JHD3000U1908JG 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

Kingston 9905744-023.A00G 16GB

Kingston 9905744-023.A00G 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB

SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB

модули RAM

Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB

Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB

Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB

Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A

Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB

Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB

Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8

модули RAM