RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
59
72
Около -22% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.6
1,938.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
72
59
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
17.3
Скорость записи, Гб/сек
1,938.7
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
677
1954
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Сравнения RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link