RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
43
Около 44% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
11.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
43
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
11.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2532
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link