RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
43
Intorno 44% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
11.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
43
Velocità di lettura, GB/s
16.0
11.4
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
9.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
17000
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
2532
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link