RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB против Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Средняя оценка
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
72
Около -213% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.0
1,938.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
72
23
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
18.1
Скорость записи, Гб/сек
1,938.7
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
677
3317
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Сравнения RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link