RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
64
Около -121% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.4
2,256.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
15.4
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
2513
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB Сравнения RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB
SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link